图片仅供参考,产品以实物为准
| 最大门源电压 | ±12 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 1.25 |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 500 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 350@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-363 |
| 标准包装名称 | SOT-26 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 2 |
| 引脚数 | 6 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 0.9(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 0.95 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 连续漏极电流 | 0.95 A |
| 栅源电压（最大值） | �12 V |
| 功率耗散 | 0.5 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-363 |
| 极性 | N |
| 类型 | Small Signal |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 20 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 9000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V, 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V, 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 700 mV, 700 mV |
| 宽度 | 1.25 mm |
| Qg - Gate Charge | 320 pC, 320 pC |
| 封装/外壳 | SOT-363-6 |
| 下降时间 | 1.2 ns, 1.2 ns |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 2 Channel |
| 配置 | 2 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 2 S, 2 S |
| Id - Continuous Drain Current | 950 mA, 950 mA |
| 长度 | 2 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 266 mOhms, 266 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 4.5 ns, 4.5 ns |
| 身高 | 0.9 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 典型导通延迟时间 | 3.8 ns, 3.8 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| 上升时间 | 3.6 ns, 3.6 ns |
| 技术 | Si |
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